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低功耗薄膜鈮酸鋰微環(huán)聲光調(diào)制-光波共振“遇見”聲波 | 前沿進(jìn)展

更新時(shí)間:2025-03-04點(diǎn)擊次數(shù):146

 

     研究背景

  集成聲光子技術(shù)在經(jīng)典與量子信息轉(zhuǎn)換間架起了互通的橋梁,是光子集成回路領(lǐng)域的新興方向,近些年備受關(guān)注。高效的微波-光波轉(zhuǎn)換對(duì)于微波信號(hào)處理、量子比特傳輸和光機(jī)械傳感等應(yīng)用至關(guān)重要。片上集成聲光調(diào)制器作為實(shí)現(xiàn)這一轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵元件,其性能主要依賴于波導(dǎo)材料的壓電和光彈性效應(yīng),以及器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。


  當(dāng)前,基于氮化鋁(AlN)、鋁鈧氮(AlScN)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、氮化鎵(GaN)、鋯鈦酸鉛(PZT)等多種壓電材料的集成聲光調(diào)制器已被陸續(xù)報(bào)道,但在滿足不同微波或光波信號(hào)處理應(yīng)用場(chǎng)景時(shí),性能上仍有很大的提升空間。隨著TFLN聲光子學(xué)的發(fā)展,其優(yōu)異的壓電和光彈特性,為高性能集成聲光調(diào)制器的研究提供了新的契機(jī)?;赥FLN平臺(tái),主要有兩種主流的器件設(shè)計(jì)方案。一種是通過懸浮TFLN構(gòu)建聲學(xué)諧振腔來實(shí)現(xiàn)高效聲光調(diào)制,但該方案存在器件制備困難和射頻功率處理能力低的技術(shù)問題。另外一種思路是基于非懸浮TFLN平臺(tái),結(jié)合光學(xué)/聲學(xué)波導(dǎo)設(shè)計(jì)與模式調(diào)控等技術(shù)手段,進(jìn)一步提高器件調(diào)制效率并增強(qiáng)實(shí)用性。鑒于此,為了展現(xiàn)集成聲光調(diào)制器的功能與潛力,不同的器件原型新進(jìn)展層出不窮。


  研究創(chuàng)新點(diǎn)

  此研究利用ChG加載的TFLN平臺(tái),展示了一種非懸浮的跑道型微環(huán)集成聲光調(diào)制器,其結(jié)構(gòu)主要包含TFLN-ChG混合集成微環(huán)諧振器與偶數(shù)對(duì)電極的叉指換能器(IDT),如圖1所示。研究人員在X切的TFLN平板上混合集成具有高光彈性系數(shù)的ChG薄膜,形成了混合波導(dǎo)的芯層,用于限制光學(xué)模式。IDT則用于產(chǎn)生對(duì)稱表面聲波(SAW),作用于跑道微環(huán)的雙臂位置,借助光彈和移動(dòng)邊界效應(yīng)擾動(dòng)波導(dǎo)中的光學(xué)模式。


  圖1 器件結(jié)構(gòu)的示意圖


  研究團(tuán)隊(duì)通過精心設(shè)計(jì)IDT電極配置,在2.5 GHz頻率范圍內(nèi)成功激發(fā)出了三種聲學(xué)模式,如圖2(b)所示,在非懸浮ChG加載的TFLN微環(huán)波導(dǎo)平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了雙臂聲光調(diào)制。在0.84 GHz下,與之前的單臂調(diào)制器相比,雙臂調(diào)制使效率VπL提升了兩倍多。該調(diào)制效率顯著優(yōu)于現(xiàn)有非懸浮TFLN集成聲光調(diào)制器,且與現(xiàn)有懸浮薄膜鈮酸鋰聲光調(diào)制器最佳的調(diào)制效率相當(dāng)。同時(shí),研究人員還對(duì)比了雙臂配置下,不同電極對(duì)數(shù)IDT對(duì)調(diào)制效率的影響。在電極對(duì)數(shù)為偶數(shù)對(duì)時(shí),該調(diào)制器的等效半波電壓長(zhǎng)度積低至9 mV?cm。為闡明聲光相互作用強(qiáng)度,研究人員重新定義了行波調(diào)制下的聲光耦合強(qiáng)度,并給出了微波-光波轉(zhuǎn)換效率的具體表達(dá)。


  圖2 薄膜鈮酸鋰混合集成微環(huán)聲光調(diào)制器的光學(xué)透射譜(a)與S參數(shù)表征(b)


  另外,研究人員從微環(huán)諧振器的理論出發(fā),重新定義了適用于微環(huán)聲光調(diào)制器的調(diào)制效率解析表達(dá)式。通過改變藍(lán)失諧偏置點(diǎn)位置,分別通過數(shù)值計(jì)算和實(shí)驗(yàn)測(cè)量深入分析了調(diào)制效率的演變,詳細(xì)研究了偏置點(diǎn)位置對(duì)調(diào)制效率的影響,相關(guān)結(jié)果如圖3(c)。特別在射頻功率RF = 12 dBm的情況下,調(diào)制器產(chǎn)生了共計(jì)五階的光邊帶,如圖3(d)所示。借助光邊帶理論擬合,很好的展現(xiàn)了雙臂集成微環(huán)聲光調(diào)制器優(yōu)異的調(diào)制效果。

  圖3 三種聲學(xué)模式下,偏置波長(zhǎng)對(duì)聲光調(diào)制效率的影響(c)和最佳的調(diào)制光邊帶結(jié)果(d)



  總結(jié)與展望

  該研究成功開發(fā)出一種混合集成的片上微環(huán)聲光調(diào)制器。通過合理的理論仿真探究,優(yōu)化光學(xué)波導(dǎo)和IDT設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)9 mV?cm 的調(diào)制效率。研究人員還深入分析了偏置點(diǎn)對(duì)調(diào)制效率的影響,揭示了調(diào)制效率VπL的演變規(guī)律。計(jì)算得出了該調(diào)制器在0.84 GHz時(shí)的聲光耦合系數(shù)和光子數(shù)轉(zhuǎn)換效率,展示了其在微波到光波轉(zhuǎn)換方面的潛力。該高效微環(huán)聲光調(diào)制器的問世,為片上壓電光機(jī)械相互作用器件的研究開辟了新途徑,有望推動(dòng)高性能微波光子處理器、光隔離器、激光雷達(dá)(LiDAR)、量子信息轉(zhuǎn)換等先進(jìn)集成芯片的發(fā)展。


    參考文獻(xiàn): 中國(guó)光學(xué)期刊網(wǎng) 



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