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CW-DFB-ICL帶間級(jí)聯(lián)中紅外DFB激光器 /ICL-DFB激光二極管 3.4um 產(chǎn)品總覽 ICL設(shè)備基于與QCL不同的設(shè)計(jì)原則，這導(dǎo)致了一些技術(shù)上的差異。主要區(qū)別在于電流、電壓和功耗低得多，便于集成到更小的封裝和系統(tǒng)中。輸出功率通常也較低。發(fā)射光是線偏振的TE偏振；在HHL封裝中，會(huì)轉(zhuǎn)化為水平極化帶間級(jí)聯(lián)激光器(ICL)是一種發(fā)射范圍在2.7 - 3.9 μm之間的中紅外光源，尤其對(duì)碳?xì)?/p>

1064nm DFB激光二極管 (CW功率30mW PW功率100mW) QLD1x6x 系列高功率單模 DFB 激光器提供 1020 nm 至 1180 nm 的波長(zhǎng)范圍。所有型號(hào)均采用標(biāo)準(zhǔn) 14 針蝶形模塊封裝，配有保偏光纖 (PMF) 和內(nèi)置光隔離器。它們具有出色的光譜穩(wěn)定性，可以在從連續(xù)波到短脈沖（皮秒、納秒）的各種驅(qū)動(dòng)條件下運(yùn)行，非常適合用于材料加工等應(yīng)用的光纖激光器脈沖播種機(jī)。

2004nm單模高功率DFB激光器(TO39封裝 CO2檢測(cè)專(zhuān)用) 由 LD-PD 制造的 PL-DFB-2004-A-A81 2004nm DFB 激光二極管模塊是一種具有成本效益的高相干激光源。DFB 激光二極管芯片采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的密封 TO39 封裝，內(nèi)置 TEC 和 PD。

VCSEL單模垂直腔面發(fā)射激光器 GaAs 低功耗芯片 894.6nm 0.2mW (Ta 60±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱(chēng)VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制，不同于LED（發(fā)光二極管）和LD（激光二極管）。結(jié)構(gòu)由鏡面，有源層和金屬接觸層組成。