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IR拋光FZ級(Si)硅窗片 1.2-15um (10.0X2mm 窗口片)（晶體/棱鏡/窗片） 光學(xué)級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。

IR拋光CZ級(Si)硅窗片 AR/AR增透膜 1.2-15um (30.0X2.0mm 窗口片) 光學(xué)級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸收帶，因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口，則此性質(zhì)不重要。

IR拋光CZ級(Si)硅窗片 矩形 N-type 摻雜 1.2-15um (50mm x 50mm x 10mm 用于中子反射窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 產(chǎn)品總覽 光學(xué)級硅通常規(guī)定為具有5至40ohm-cm的電阻率，其電阻率比大多數(shù)半導(dǎo)體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制，te別是對于TeraHertz應(yīng)用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成)，其在9μm具有Si-O吸

IR級拋光氟化鍶窗片 0.15-11um (10.0X1.0mm圓形SrF2窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 氟化鍶（SrF2）通過真空Stockbarger生長技術(shù)生產(chǎn)，只有專業(yè)方面的應(yīng)用。 光學(xué)上，SrF2具有介于鈣和BaF2之間的性質(zhì)。 通常，窗口片符合紅外使用條件，但可以在大部分紫外線光譜范圍內(nèi)提供良好的性能。為了保證穿過 UV（和 VUV）的傳輸，型號以U結(jié)尾

IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡/窗片） ZnS多光譜（透明）用于紅外窗口和熱波段（8至14μm）透鏡，te別是需要更大透射和更低吸收率的窗口。 選擇用于可見對準(zhǔn)也是有利的。硫化鋅通過從鋅蒸汽和H2S氣體合成而產(chǎn)生，經(jīng)過壓片形成片狀。硫化鋅在結(jié)構(gòu)上是微晶的，控制晶粒尺寸以產(chǎn)生Max. 強度。