16mm四象限Si光電探測(cè)器SIQ1600：器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí)，由于象限間輻射通量的變化，引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化，由此可測(cè)出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。
16mm四象限Si光電探測(cè)器/N型硅象限探測(cè)器光敏面直徑 16mm,直流響應(yīng)度 0.3A/W

產(chǎn)品型號(hào)：

更新時(shí)間：2024-12-04

廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商

訪問量：1223

產(chǎn)品咨詢 18602170419

product

產(chǎn)品分類

光電探測(cè)器

超快光電探測(cè)器/EOT 單光子探測(cè)器/計(jì)數(shù)器光電倍增管其他光電探測(cè)器 Ge鍺光電探測(cè)器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測(cè)器 Si硅光電探測(cè)器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測(cè)器 MCT碲鎘汞探測(cè)器

tel-phone

400-828-1550

查看全部

article

相關(guān)文章

詳細(xì)介紹在線留言

品牌	其他品牌	產(chǎn)地類別	進(jìn)口
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,能源,建材,電子

器件是N型硅象限探測(cè)器，當(dāng)光輻射到器件各個(gè)象限的輻射通量相等時(shí)，則各個(gè)象限輸出的光電流相等。而當(dāng)目標(biāo)發(fā)生偏移時(shí)，由于象限間輻射通量的變化，引起各個(gè)象限的輸出光電流的變化，由此可測(cè)出物體的方位，從而起到跟蹤、制導(dǎo)的作用。

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 標(biāo)低暗電流

● 高均勻性、高對(duì)稱性

● 高可靠性

● 盲區(qū)小

封裝及尺寸

外形結(jié)構(gòu)

TO型氣密性封裝。外形結(jié)構(gòu)見圖1，外形尺寸見表1。

2345截圖20191014101445.png

2345截圖20191014101905.png

表1、外形尺寸（單位為毫米）

尺寸符號(hào)	φD1	ΦD2	ΦD3	ΦD4	ΦD5	Φd	A	L1	L2	L3	e
最小值	30.55	27.80	3.00	27.915	22.60	0.98	7.03	3.02	1.85	2.70	18.00
最大值	30.65	28.00	3.06	27.94	23.40	1.02	7.20	3.10	1.95	3.00	18.05

引出端排列

器件的引出端排列見圖2，引出端功能應(yīng)符合表2的規(guī)定。

2345截圖20191014103311.png

表2、引出端功能表

管腳	功能	電壓極性
1	象限1	正
2	公共P極	負(fù)
3	象限4	正
4	環(huán)極	正
5	象限3	正
6	殼體	地
7	象限2	正

產(chǎn)品應(yīng)用

● 激光瞄準(zhǔn)、制導(dǎo)跟蹤及探索裝置

● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測(cè)量系統(tǒng)

技術(shù)參數(shù)

特性參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件（除另有規(guī)定外，TA=22℃±3℃）		參數(shù)值		單位
特性參數(shù)	符號(hào)	測(cè)試條件（除另有規(guī)定外，TA=22℃±3℃）		最小值	最大值	單位
響應(yīng)度(交流)(象限)	Spi	λ=1.064μm VR=135 V	脈寬20 ns、Pin=2 mW	0.25	—	A/W
響應(yīng)度(直流)(象限)	Rei		直流、Pin=1μw	0.30	—	A/W
響應(yīng)度變化量(直流) (象限)a 響應(yīng)度變化量(交流) (象限)a	ΔRei		TA=-45 ℃±2 ℃	—	50	%
暗電流(象限)	IDi	VR=135V Pin=0μw	TA=22℃±3℃	—	1	μA
暗電流(象限)	IDi		TA=70℃±3℃	—	10
暗電流(環(huán))	ID		TA=22℃±3℃	—	10
暗電流(環(huán))	ID		TA=70℃±3℃	—	100
結(jié)電容（象限）	Cji	VR=135V，f=1MHz		—	15	pF
光敏面直徑	φ			10	16	mm
等效噪聲功率	NEPi	λ=1.064 μm，VR=135 V ,脈寬20 ns		—	5×10-12	W/HZ1/2
擊穿電壓（象限、環(huán)）	VBR	IR=10μA		200	—	V
象元間靈敏度非均勻性	Rf	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%
象元內(nèi)靈敏度非均勻性	Rfn	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%
象元間竄擾因子	SLi	λ=1.064 μm，VR=135 V ，脈寬20 ns；Pin=2mW		—	5	%