熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅(qū)動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
CO2激光光譜分析儀
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調(diào)/鎖相放大器等）
Frequad-W-CW DUV 單頻連續(xù)激光器 213nm 10mW Frequad-W
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
IRV2000-1X1倍紅外觀察鏡 350-2000nm,分辨率 60lp/mm
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
FLEX-BF裸光纖研磨機
S+C+L波段 160nm可調(diào)諧帶通濾波器
當(dāng)前位置：首頁
產(chǎn)品中心光電探測器Si硅光電探測器Si雪崩單元探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC
Si雪崩單元探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC
產(chǎn)品簡介
product
產(chǎn)品分類| 品牌 | 其他品牌 | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組成要素 | 半導(dǎo)體激光器產(chǎn)品及設(shè)備 | 產(chǎn)地類別 | 進口 |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,建材,電子 |
Si雪崩單元探測模塊集成了低噪聲APD探測器、低噪聲寬帶跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、APD溫度補償；隔離電源供電確保輸出信號不受外部供電電源的影響；APD溫度補償提高探測模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測器具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點
Si雪崩單元探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC,Si雪崩單元探測器 200MHz 400-1100nm FC/APC產(chǎn)品特點
噪聲低
高增益
內(nèi)置高壓電源
APD溫度補償
結(jié)構(gòu)緊湊
內(nèi)置低噪隔離電源
產(chǎn)品應(yīng)用
光纖傳感
光纖通信
激光測距
光譜測量
ns 級光脈沖探測
產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品型號 | APD-100M-B | APD-200M-B | APD-300M-B | APD-400M-B | APD-500M-B | APD-1G-B | APD-2G-B | 單位 |
探測器類型 | Si | |||||||
波長 | 400~1100 | nm | ||||||
帶寬 | 100M | 200M | 300M | 400M | 500M | 1G | 2G | Hz |
響應(yīng)度 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | 25 | A/W@850nm |
跨阻增益 | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | 300K | V/W |
輸出阻抗 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | Ω |
飽和功率 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 13 | 30 | uW |
NEP | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.2 | 0.2 | pW/√(Hz) |
輸出耦合方式 | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC/AC | DC | AC | AC | |
供電電壓 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 12 | 12 | V |
供電電流 | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | 0.5(max) | A |
光學(xué)輸入 | FC/APC（自由空間光可選） | |||||||
射頻輸出 | SMA | |||||||
外形尺寸 | 65*50*20 | mm | ||||||
上一個：
返回列表
