美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸...
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產(chǎn)品分類(lèi)400-828-1550
美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷 高速光電探測(cè)器:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<28ps/<28ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@2000nm; 帶寬:>10GHz; 有效面積直徑:40um; 輸...
查看詳情美國(guó)EOT - 硅光電探測(cè)器 118 MHz:材料:Silicon 上升/下降時(shí)間:<3ns/<3ns; 響應(yīng)度:0.56A/W@830nm; 帶寬:>118MHz; 有效面積直徑:2.55mm; 輸...
查看詳情美國(guó)EOT InGaAs 銦鎵砷光電探測(cè)器 2 GHz:材料:InGaAs 上升/下降時(shí)間:<175ps/<175ps; 響應(yīng)度:0.9A/W@1300nm; 帶寬:>2GHz; 有效面積直徑:10...
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