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半導(dǎo)體連續(xù)激光器
VCSEL激光器
760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL TO39 760nm單模垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性等優(yōu)點(diǎn),2nm調(diào)諧范圍,專為可調(diào)諧半導(dǎo)體激光吸收光譜(TDLAS)應(yīng)用而設(shè)計(jì),內(nèi)置防靜電(ESD)保護(hù).
垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。結(jié)構(gòu)由鏡面,有源層和金屬接觸層組成。兩個(gè)發(fā)射鏡分別為P型,N型布拉格發(fā)射器。有源區(qū)有量子肼組成,在P型DBR外表面制作金屬接觸層,形成歐姆接觸,并在P型DBR上制作
795nm VCSEL單模低功耗芯片 GaAs 0.13mW (Group4 Ta=90±10°C) 產(chǎn)品總覽 垂直腔面發(fā)射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser),簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器,其激光垂直于頂面射出。以砷化鎵半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)研制,不同于LED(發(fā)光二極管)和LD(激光二極管)。
Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國(guó)內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫(kù)存波長(zhǎng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測(cè),以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗(yàn),還有852nm用于CS原子冷卻。
795nm單模VCSEL激光器 1mw Philips (二極管已停產(chǎn) 芯片在售) Philips單模VCSEL激光器具有出光功率高,線寬窄以及良好的一致性目前深受國(guó)內(nèi)科研客戶青睞。目前我們現(xiàn)有庫(kù)存波長(zhǎng)760nm 用于TDLAS氧氣檢測(cè),以及795nm用于Rb原子鐘實(shí)驗(yàn),還有852nm用于CS原子冷卻。